元器件型号详细信息

原厂型号
SI3447CDV-T1-E3
摘要
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 7.8A(Tc) 2W(Ta),3W(Tc) 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
36 毫欧 @ 6.3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 8 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
910 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta),3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
基本产品编号
SI3447

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI3447CDV-T1-E3TR
SI3447CDV-T1-E3-ND
SI3447CDV-T1-E3CT
SI3447CDV-T1-E3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI3447CDV-T1-E3

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规格书
1(SI3447CDV)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 14/Mar/2018)
HTML 规格书
1(SI3447CDV)

价格

-

替代型号

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