最后更新
20250710
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
IXFN160N30T
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFN160N30T
摘要
MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
详情
底座安装 N 通道 300 V 130A(Tc) 900W(Tc) SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
53 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Trench
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
19 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
335 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
28000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
900W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
基本产品编号
IXFN160
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXFN160N30T
相关文档
规格书
1(IXFN160N30T)
HTML 规格书
1(IXFN160N30T)
价格
数量: 100
单价: $201.6222
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $236.112
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $255.99
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-
相似型号
TCMD-04-T-02.00-01-RF-N
LVR05R2000FS73
B80C800G-E4/51
8182-832-A-35
SIT1602BI-83-33N-66.660000