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GermanyFQI4N80TU
元器件型号详细信息
原厂型号
FQI4N80TU
摘要
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
详情
通孔 N 通道 800 V 3.9A（Tc） 3.13W（Ta），130W（Tc） I2PAK（TO-262）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 欧姆 @ 1.95A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.13W（Ta），130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK（TO-262）
封装/外壳
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
基本产品编号
FQI4N80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQI4N80TU
相关文档
规格书
1(FQB4N80, FQI4N80)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Material Chgs 14/Oct/2020)
PCN 封装
()
EDA 模型
1(FQI4N80TU by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : IRFBE30LPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥22.66000
替代类型. : 类似
库存 : 0
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