English
Spain
Rusia
Italy
GermanyDMG8880LK3-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMG8880LK3-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 11A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 11A（Ta） 1.68W（Ta） TO-252，（D-Pak）
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 11.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1289 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.68W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
DMG8880
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMG8880LK3-13DIDKR
DMG8880LK3-13DICT
DMG8880LK313
DMG8880LK3-13DITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMG8880LK3-13
相关文档
规格书
1(DMG8880LK3)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012)
HTML 规格书
1(DMG8880LK3)
价格
-
替代型号
型号 : FDD8896
制造商 : onsemi
库存 : 43,978
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 类似
库存 : 43,978
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 类似
型号 : IRLR8726TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 22,740
单价. : ¥5.09000
替代类型. : 类似
库存 : 22,740
单价. : ¥5.09000
替代类型. : 类似
型号 : IRFR3709ZTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 8
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 类似
库存 : 8
单价. : ¥7.15000
替代类型. : 类似
型号 : STD100N3LF3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 489
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似
库存 : 489
单价. : ¥15.18000
替代类型. : 类似
型号 : IPD50N03S2L06ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥20.91000
替代类型. : 类似
库存 : 2,500
单价. : ¥20.91000
替代类型. : 类似
型号 : TSM060N03CP ROG
制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 15
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似
库存 : 15
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似