SPB04N50C3ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPB04N50C3ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 560V 4.5A TO263-3

详情

表面贴装型 N 通道 560 V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

560 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

950 毫欧 @ 2.8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 200µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

22 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

470 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

50W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

SPB04N

其它名称

SPB04N50C3XT

SPB04N50C3-ND

SPB04N50C3INDKR-ND

SPB04N50C3INDKR

2156-SPB04N50C3ATMA1-ITTR

SPB04N50C3INTR-ND

IFEINFSPB04N50C3ATMA1

SPB04N50C3ATMA1TR

SPB04N50C3INTR

SP000014477

SPB04N50C3ATMA1DKR

SPB04N50C3INCT-ND

SPB04N50C3INCT

SPB04N50C3

SPB04N50C3ATMA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB04N50C3ATMA1

价格

-

替代型号

型号 : STB9NK80Z

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥19.08000
替代类型. : 直接

型号 : IRF830STRLPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 1,495
单价. : ¥18.92000
替代类型. : 类似

型号 : STB11NK50ZT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 111
单价. : ¥25.60000
替代类型. : 类似

型号 : IRF830SPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 165
单价. : ¥17.89000
替代类型. : 类似

型号 : IRF830ASPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 776
单价. : ¥17.49000
替代类型. : 类似

型号 : IRFBC40STRR

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似

型号 : STB7ANM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 146
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似

9T04021A4021CBHF3 2N5679 416F30012CSR RN732ATTD25R8F25 LMZ12003EXTTZ/NOPB

SPB04N50C3ATMA1

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