最后更新
20250409
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
IXFT26N50Q TR
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFT26N50Q TR
摘要
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
详情
表面贴装型 N 通道 500 V 26A(Tc) 300W(Tc) TO-268(IXFT)
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
200 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
95 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268(IXFT)
封装/外壳
TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
基本产品编号
IXFT26
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IXFT26N50Q TR-ND
IXFT26N50QTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXFT26N50Q TR
相关文档
规格书
1(IXF(H,T)24N50Q, IXF(H,T)26N50Q)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017)
HTML 规格书
1(IXF(H,T)24N50Q, IXF(H,T)26N50Q)
价格
-
替代型号
型号 : APT30F50S
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
单价. : ¥51.03833
替代类型. : 类似
相似型号
SIT8208AI-G3-33E-38.000000X
RER65F2000RCSL
JAN1N964BUR-1/TR
Q-0D0200003009i
RT230AS4700KB