English
Spain
Rusia
Italy
GermanyTP65H035G4WS
元器件型号详细信息
原厂型号
TP65H035G4WS
摘要
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 46.5A（Tc） 156W（Tc） TO-247-3
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
46.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
41 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22 nC @ 0 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TP65H035
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TP65H035G4WS
相关文档
规格书
1(TP65H035G4WS)
特色产品
()
HTML 规格书
1(TP65H035G4WS)
EDA 模型
1(TP65H035G4WS by Ultra Librarian)
价格
数量: 500
单价: $102.39352
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $115.1044
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $136.288
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $148.26
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-