元器件型号详细信息

原厂型号
MS2200
摘要
RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102
详情
RF 晶体管 NPN 65V 43.2A 400MHz ~ 500MHz 1167W 底座安装 M102
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1

技术参数

制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)
65V
频率 - 跃迁
400MHz ~ 500MHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
-
增益
9.7dB
功率 - 最大值
1167W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
20 @ 5A,5V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
43.2A
工作温度
200°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
M102
供应商器件封装
M102

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

其它名称

MS2200-ND
150-MS2200

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极射频晶体管/Microsemi Corporation MS2200

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价格

-

替代型号

-