English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFDMS001N025DSD
元器件型号详细信息
原厂型号
FDMS001N025DSD
摘要
MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
详情
MOSFET - 阵列 25V 19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc） 2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc） 表面贴装型 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta），69A（Tc），38A（Ta），165A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.25 毫欧 @ 19A，10V，920µOhm @ 38A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 320µA，3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30nC @ 10V，104nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1370pF @ 13V，5105pF @ 13V
功率 - 最大值
2.1W（Ta），26W（Tc），2.3W（Ta），42W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
基本产品编号
FDMS001
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FDMS001N025DSD-OS
2832-FDMS001N025DSDTR
ONSONSFDMS001N025DSD
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDMS001N025DSD
相关文档
规格书
1(FDMS001N025DSD)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
1(Gate Leadpost Dimension Change 01/Sep/2021)
PCN 组装/来源
1(Lead Frame Design 11/Nov/2020)
HTML 规格书
1(FDMS001N025DSD)
价格
-
替代型号
-