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GermanyFDT86102LZ
元器件型号详细信息
原厂型号
FDT86102LZ
摘要
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 6.6A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1490 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
FDT86102
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDT86102LZ-ND
FDT86102LZFSTR
FDT86102LZFSCT
FDT86102LZFSDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDT86102LZ
相关文档
规格书
1(FDT86102LZ)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chg 21/May/2020)
PCN 封装
()
价格
-
替代型号
-