English
Spain
Rusia
Italy
GermanyRN1106MFV(TL3,T)
元器件型号详细信息
原厂型号
RN1106MFV(TL3,T)
摘要
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 150 mW 表面贴装型 VESM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)
47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
80 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 500µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）
500nA
功率 - 最大值
150 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-723
供应商器件封装
VESM
基本产品编号
RN1106
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
RN1106MFVTL3T
RN1106MFV(TL3T)DKR
RN1106MFV(TL3T)TR
RN1106MFV(TL3T)CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单，预偏置双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV(TL3,T)
相关文档
规格书
1(RN1101-6MFV)
PCN 产品变更/停产
1(Multi Device Obs Oct/2015)
PCN 零件编号
1(Part Number Change Due to Production Site Change Jul/2014)
HTML 规格书
1(RN1101-6MFV)
EDA 模型
1(RN1106MFV(TL3,T) by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : RN1106MFV,L3F
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 6,286
单价. : ¥1.27000
替代类型. : 类似
库存 : 6,286
单价. : ¥1.27000
替代类型. : 类似
型号 : DTC143ZM3T5G
制造商 : onsemi
库存 : 4,020
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似
库存 : 4,020
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 类似
型号 : DTC143ZMT2L
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 78,866
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似
库存 : 78,866
单价. : ¥3.10000
替代类型. : 类似
型号 : NSVDTC143ZM3T5G
制造商 : onsemi
库存 : 7,980
单价. : ¥3.02000
替代类型. : 类似
库存 : 7,980
单价. : ¥3.02000
替代类型. : 类似
型号 : NSBC143ZF3T5G
制造商 : onsemi
库存 : 8,000
单价. : ¥3.58000
替代类型. : 类似
库存 : 8,000
单价. : ¥3.58000
替代类型. : 类似