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GermanyFGH50T65SQD-F155
元器件型号详细信息
原厂型号
FGH50T65SQD-F155
摘要
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 100 A 268 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
76 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，50A
功率 - 最大值
268 W
开关能量
180µJ（开），45µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
99 nC
25°C 时 Td（开/关）值
22ns/105ns
测试条件
400V，12.5A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
31 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
FGH50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FGH50T65SQD-F155OS
FGH50T65SQD_F155-ND
ONSONSFGH50T65SQD-F155
FGH50T65SQD-F155-ND
2156-FGH50T65SQD-F155-OS
FGH50T65SQD_F155
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH50T65SQD-F155
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规格书
1(FGH50T65SQD)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 27/Dec/2022)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FGH50T65SQD)
EDA 模型
1(FGH50T65SQD-F155 by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $22.94366
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $24.15116
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $28.63648
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $33.6395
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $41.06
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $45.71
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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