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GermanyFQB22P10TM-F085
元器件型号详细信息
原厂型号
FQB22P10TM-F085
摘要
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
详情
表面贴装型 P 通道 100 V 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, QFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.75W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
FQB2
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FQB22P10TM_F085TR
FQB22P10TM_F085DKR
FQB22P10TM_F085DKR-ND
FQB22P10TM_F085CT-ND
FQB22P10TM_F085
FQB22P10TM_F085CT
FQB22P10TM-F085DKR
FQB22P10TM-F085CT
FQB22P10TM-F085TR
FQB22P10TMF085
FQB22P10TM_F085TR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQB22P10TM-F085
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价格
-
替代型号
型号 : FQB22P10TM
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥14.95000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥14.95000
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型号 : IRF9540NSTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,445
单价. : ¥19.80000
替代类型. : 类似
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