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GermanyFGH40T120SMDL4
元器件型号详细信息
原厂型号
FGH40T120SMDL4
摘要
IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247
详情
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 555 W 通孔 TO-247
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.4V @ 15V，40A
功率 - 最大值
555 W
开关能量
2.24mJ（开），1.02mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
370 nC
25°C 时 Td（开/关）值
44ns/464ns
测试条件
600V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
65 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-4
供应商器件封装
TO-247
基本产品编号
FGH40
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGH40T120SMDL4
相关文档
规格书
1(FGH40T120SMDL4)
环保信息
()
特色产品
1(650 V, 30A/40A/60A, Field Stop Trench, FS3 IGBT for Optimum Performance)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 29/Jan/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly/DS Chg 6/Jan/2019)
PCN 封装
()
价格
-
替代型号
-