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20250430
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元器件资讯
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IPD90P03P404ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD90P03P404ATMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 90A(Tc) 137W(Tc) PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 253µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
130 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
137W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD90
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD90P03P404
SP000396298
IPD90P03P4-04-ND
IPD90P03P4-04INCT
IPD90P03P4-04INCT-ND
IPD90P03P4-04INDKR-ND
IPD90P03P404ATMA1TR
2156-IPD90P03P404ATMA1
IPD90P03P4-04
IPD90P03P4-04INDKR
IPD90P03P4-04INTR
IPD90P03P404ATMA1DKR
INFINFIPD90P03P404ATMA1
IPD90P03P4-04INTR-ND
IPD90P03P404ATMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPD90P03P404ATMA1
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1(IPD90P03P4-04)
EDA 模型
1(IPD90P03P404ATMA1 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(OptiMOS-P2-Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $9.62755
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
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