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Germany1N5226BTR
元器件型号详细信息
原厂型号
1N5226BTR
摘要
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 3.3 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
22 周
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
3.3 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
28 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
25 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 200°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
1N5226
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
2166-1N5226BTR-488
1N5226BFSTR
1N5226BFSDKR-ND
1N5226BTRFS-ND
1N5226BFSDKR
1N5226BFSDKRINACTIVE
1N5226BFSCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/onsemi 1N5226BTR
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规格书
1(1N5221B - 63B)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chgs 13/Apr/2020)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(1N5221B - 1N5252B)
价格
数量: 125000
单价: $0.11758
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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最小包装数量: 5000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
-