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元器件型号详细信息
原厂型号
IPAN60R650CEXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
详情
通孔 N 通道 600 V 9.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220-FP
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
650 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
28W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
IPAN60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001508816
IFEINFIPAN60R650CEXKSA1
2156-IPAN60R650CEXKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPAN60R650CEXKSA1
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规格书
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特色产品
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PCN 设计/规格
1(CoolMOS DataSheet Update 11/Jan/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chgs 13/Oct/2020)
HTML 规格书
1(IPAN60R650CE)
价格
数量: 10000
单价: $4.15511
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $4.3174
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 2000
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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数量: 500
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数量: 10
单价: $9.579
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $10.73
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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