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GermanyCSD19538Q2T
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD19538Q2T
摘要
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 13.1A（Tc） 2.5W（Ta），20.2W（Tc） 6-WSON（2x2）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
59 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
454 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），20.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-WSON（2x2）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
基本产品编号
CSD19538
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-44612-1
296-44612-2
296-44612-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19538Q2T
相关文档
规格书
1(CSD19538Q2 Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 23/Oct/2017)
制造商产品页面
1(CSD19538Q2T Specifications)
HTML 规格书
1(CSD19538Q2 Datasheet)
EDA 模型
1(CSD19538Q2T by SnapEDA)
价格
数量: 12500
单价: $3.87854
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 6250
单价: $4.03004
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
数量: 2500
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
数量: 250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
数量: 100
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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