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GermanyIXTM67N10
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTM67N10
摘要
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AE
详情
通孔 N 通道 100 V 67A（Tc） 300W（Tc） TO-204AE
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
GigaMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 33.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-204AE
封装/外壳
TO-204AE
基本产品编号
IXTM67
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTM67N10
相关文档
规格书
1(IXT(H,M,T) 67N10, 75N10)
HTML 规格书
1(IXT(H,M,T) 67N10, 75N10)
价格
-
替代型号
型号 : PSMN013-100PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,105
单价. : ¥18.36000
替代类型. : 类似
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