English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIXTN79N20
元器件型号详细信息
原厂型号
IXTN79N20
摘要
MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
详情
底座安装 N 通道 200 V 85A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
85A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 20mA
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400W（Tc）
工作温度
-
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
基本产品编号
IXTN79
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXTN79N20
相关文档
PCN 产品变更/停产
1(DK OBS NOTICE)
价格
-
替代型号
-