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GermanyIPP024N06N3GXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP024N06N3GXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详情
通孔 N 通道 60 V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 196µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
275 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP024
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP024N06N3 G
IPP024N06N3G
2156-IPP024N06N3GXKSA1
SP000680764
IPP024N06N3 G-ND
IFEINFIPP024N06N3GXKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP024N06N3GXKSA1
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规格书
1(IPx021,24N06N3 G)
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特色产品
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1(Mult Dev EOL 20/Oct/2015)
PCN 组装/来源
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HTML 规格书
1(IPx021,24N06N3 G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 500
单价: $25.68756
包装: 管件
最小包装数量: 500
包装: 管件
最小包装数量: 500
替代型号
型号 : IRFB3006PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,222
单价. : ¥34.26000
替代类型. : 直接
库存 : 2,222
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型号 : IRFB3206PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,173
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单价. : ¥27.27000
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制造商 : Nexperia USA Inc.
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型号 : TK100E06N1,S1X
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
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型号 : PSMN2R0-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
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制造商 : Nexperia USA Inc.
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单价. : ¥39.19000
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型号 : PSMN4R6-60PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥22.82000
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型号 : PSMN7R6-60PS,127
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单价. : ¥16.54000
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