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GermanyIPS13N03LA G
元器件型号详细信息
原厂型号
IPS13N03LA G
摘要
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
详情
通孔 N 通道 25 V 30A（Tc） 46W（Tc） PG-TO251-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1043 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
46W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO251-3-11
封装/外壳
TO-251-3 短截引线，IPak
基本产品编号
IPS13N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPS13N03LA G-ND
SP000015133
IPS13N03LAG
IPS13N03LAGX
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPS13N03LA G
相关文档
规格书
1(IPx13N03LA G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 04/Jun/2009)
价格
-
替代型号
-