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GermanyAPL1001J
元器件型号详细信息
原厂型号
APL1001J
摘要
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP
详情
底座安装 N 通道 1000 V 18A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP®
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 2.5mA
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
520W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
ISOTOP®
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APL1001JMI
APL1001JMI-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microchip Technology APL1001J
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规格书
()
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Legacy Prod EOL 1/Mar/2017)
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
HTML 规格书
()
价格
-
替代型号
型号 : IXFN20N120P
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