元器件型号详细信息

原厂型号
IRFI530G
摘要
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3
详情
通孔 N 通道 100 V 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
160 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
33 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
670 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
42W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片
基本产品编号
IRFI530

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix IRFI530G

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规格书
1(IRFI530G,SiHFI530G)
HTML 规格书
1(IRFI530G,SiHFI530G)

价格

-

替代型号

型号 : IRFI530GPBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 973
单价. : ¥15.26000
替代类型. : 参数等效
型号 : IRFI540NPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,956
单价. : ¥14.71000
替代类型. : 直接