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GermanySI8805EDB-T2-E1
元器件型号详细信息
原厂型号
SI8805EDB-T2-E1
摘要
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
详情
表面贴装型 P 通道 8 V 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
68 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-Microfoot
封装/外壳
4-XFBGA，CSPBGA
基本产品编号
SI8805
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SI8805EDB-T2-E1-ND
SI8805EDB-T2-E1CT
SI8805EDB-T2-E1TR
SI8805EDB-T2-E1DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI8805EDB-T2-E1
相关文档
规格书
1(SI8805EDB-T2-E1)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 14/Mar/2018)
HTML 规格书
1(SI8805EDB-T2-E1)
价格
-
替代型号
型号 : SI8823EDB-T2-E1
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 5,990
单价. : ¥3.26000
替代类型. : 类似
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