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GermanyFDD86250
元器件型号详细信息
原厂型号
FDD86250
摘要
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 8A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），132W（Tc） TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
49 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2110 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），132W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FDD862
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDD86250-ND
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDD86250
相关文档
规格书
1(FDD86250)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
EDA 模型
1(FDD86250 by Ultra Librarian)
价格
数量: 2500
单价: $8.55158
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $11.08534
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPD200N15N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 59,293
单价. : ¥24.33000
替代类型. : 直接
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