English
Spain
Rusia
Italy
GermanyHGTP12N60A4
元器件型号详细信息
原厂型号
HGTP12N60A4
摘要
IGBT 600V 54A 167W TO220AB
详情
IGBT 600 V 54 A 167 W 通孔 TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
54 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
96 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，12A
功率 - 最大值
167 W
开关能量
55µJ（开），50µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
78 nC
25°C 时 Td（开/关）值
17ns/96ns
测试条件
390V，12A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220-3
基本产品编号
HGTP12N60
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
HGTP12N60A4-NDR
HGTP12N60A4_NL
HGTP12N60A4_NL-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGTP12N60A4
相关文档
规格书
()
环保信息
1(onsemi RoHS)
HTML 规格书
()
价格
-
替代型号
型号 : STGP20NC60V
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥29.10000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥29.10000
替代类型. : 类似