English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTL19N60DM2
元器件型号详细信息
原厂型号
STL19N60DM2
摘要
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 11A（Tc） 90W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ DM2
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
320 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
90W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
STL19
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-1138-STL19N60DM2CT
497-16361-6
-1138-STL19N60DM2DKR
497-16361-1
497-16361-2
-1138-STL19N60DM2TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STL19N60DM2
相关文档
规格书
1(STL19N60DM2)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
HTML 规格书
1(STL19N60DM2)
价格
数量: 100
单价: $20.347
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $24.835
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $27.67
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $19.3779
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $23.651
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $26.31
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : STB13N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,166
单价. : ¥18.68000
替代类型. : 类似
库存 : 5,166
单价. : ¥18.68000
替代类型. : 类似