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元器件型号详细信息
原厂型号
SCTH35N65G2V-7AG
摘要
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 45A（Tc） 208W（Tc） H2PAK-7
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
67毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
73 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1370 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
SCTH35
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-1138-SCTH35N65G2V-7AGDKR
-1138-SCTH35N65G2V-7AGCT
497-SCTH35N65G2V-7AGCT
497-SCTH35N65G2V-7AGTR
497-SCTH35N65G2V-7AGDKR
-1138-SCTH35N65G2V-7AGTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AG
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规格书
1(SCTH35N65G2V-7AG)
EDA 模型
1(SCTH35N65G2V-7AG by Ultra Librarian)
价格
数量: 1000
单价: $102.44232
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
数量: 500
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最小包装数量: 1
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