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GermanySIHW21N80AE-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHW21N80AE-GE3
摘要
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD
详情
通孔 N 通道 800 V 17，4A（Tc） 32W（Tc） TO-247AD
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17，4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
235 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1388 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
32W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHW21
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHW21N80AE-GE3
相关文档
规格书
1(SIHW21N80AE Datasheet)
特色产品
1(MOSFETs in 5G)
HTML 规格书
1(SIHW21N80AE Datasheet)
价格
数量: 2000
单价: $19.07253
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $20.07636
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $23.80488
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $27.9635
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $34.128
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $38
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : SIHG21N80AE-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 500
单价. : ¥38.00000
替代类型. : 参数等效
库存 : 500
单价. : ¥38.00000
替代类型. : 参数等效