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元器件型号详细信息
原厂型号
NGTD13T65F2WP
摘要
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 表面贴装型 模具
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.2V @ 15V，30A
开关能量
-
输入类型
标准
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
基本产品编号
NGTD13
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi NGTD13T65F2WP
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规格书
1(NGTD13T65F2)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NGTD13T65F2)
价格
数量: 180
单价: $14.9785
包装: 散装
最小包装数量: 180
包装: 散装
最小包装数量: 180
替代型号
-