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GermanySPP18P06PHKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPP18P06PHKSA1
摘要
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
详情
通孔 P 通道 60 V 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
130 毫欧 @ 13.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
860 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
81.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SPP18P
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SPP18P06PIN-NDR
SP000012300
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN-ND
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PX
SPP18P06P
SPP18P06PIN
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPP18P06PHKSA1
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规格书
1(SPP18P06P)
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特色产品
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HTML 规格书
1(SPP18P06P)
价格
-
替代型号
型号 : SPP18P06PHXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥12.48000
替代类型. : 参数等效