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GermanyIPD50P03P4L11ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD50P03P4L11ATMA1
摘要
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.5 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3770 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
58W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD50P03P4L-11INDKR
2156-IPD50P03P4L11ATMA1
IPD50P03P4L-11INCT-ND
IPD50P03P4L11ATMA1CT
IPD50P03P4L-11INCT
IPD50P03P4L11ATMA1DKR
IPD50P03P4L11ATMA1TR
IPD50P03P4L11
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INDKR-ND
INFINFIPD50P03P4L11ATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD50P03P4L11ATMA1
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规格书
1(IPD50P03P4L-11)
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()
PCN 组装/来源
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PCN 封装
()
仿真模型
1(OptiMOS-P2-Spice Model)
价格
数量: 12500
单价: $4.83996
包装: 卷带（TR）
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
型号 : PJD50P04-AU_L2_000A1
制造商 : Panjit International Inc.
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