CSD85312Q3E

元器件型号详细信息

原厂型号

CSD85312Q3E

摘要

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

详情

MOSFET - 阵列 20V 39A 2.5W 表面贴装型 8-VSON（3.3x3.3）

原厂/品牌

Texas Instruments

原厂到货时间

6 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N 沟道（双）共源

FET 功能

逻辑电平栅极，5V 驱动

漏源电压（Vdss）

20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

39A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

12.4 毫欧 @ 10A，8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

15.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2390pF @ 10V

功率 - 最大值

2.5W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件封装

8-VSON（3.3x3.3）

基本产品编号

CSD85312

其它名称

-CSD85312Q3E-NDR

TEXTISCSD85312Q3E

2156-CSD85312Q3E

296-37187-6

296-37187-1

296-37187-2

-296-37187-1

-296-37187-1-ND

CSD85312Q3E-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD85312Q3E

价格

数量: 12500

单价: $3.95333
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 5000

单价: $4.10775
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 2500

单价: $4.32395
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $4.63281
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.8683
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.104
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.111
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.18
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $4.63281
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $5.8683
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $7.104
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $9.111
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $10.18
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

DB2J31700L RK73B1HTTC180J 2762-832-S XS5W-D421-G81-F RSA-3475

CSD85312Q3E

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