元器件型号详细信息

原厂型号
NVD5C632NLT4G
摘要
MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 29A(Ta),155A(Tc) 4W(Ta),115W(Tc) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
75 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A(Ta),155A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
78 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
4W(Ta),115W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NVD5C632

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

488-NVD5C632NLT4GCT
NVD5C632NLT4G-ND
488-NVD5C632NLT4GTR
488-NVD5C632NLT4GDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NVD5C632NLT4G

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规格书
1(NVD5C632NL)
环保信息
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EDA 模型
1(NVD5C632NLT4G by Ultra Librarian)

价格

数量: 2500
单价: $14.63062
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $15.40063
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $18.26076
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $21.4512
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $26.179
包装: 剪切带(CT)
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替代型号

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