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GermanyHN1A01FE-GR,LF
元器件型号详细信息
原厂型号
HN1A01FE-GR,LF
摘要
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 PNP（双） 50V 150mA 80MHz 100mW 表面贴装型 ES6
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 2mA，6V
功率 - 最大值
100mW
频率 - 跃迁
80MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
ES6
基本产品编号
HN1A01
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
HN1A01FE-GR(5LFTDKR
HN1A01FE-GR(5L,F,T
HN1A01FE-GRLF(BCT
HN1A01FE-GR(5LFTDKR-ND
HN1A01FE-GR(5LFTTR
HN1A01FE-GRLFCTINACTIVE
HN1A01FE-GRLFTR
HN1A01FE-GRLFTRINACTIVE
HN1A01FE-GRLFDKR
HN1A01FE-GR,LF(T
HN1A01FE-GRLF(BTR
HN1A01FEGRLFTR-ND
HN1A01FE-GR(5LFTCT-ND
HN1A01FE-GRLF(BTR-ND
HN1A01FEGRLFTR
HN1A01FE-GR(5LFTCT
HN1A01FE-GRLF(BCT-ND
HN1A01FE-GRLFDKRINACTIVE
HN1A01FE-GRLFCT
HN1A01FE-GRLF(BDKR
HN1A01FE-GRLF(BDKR-ND
HN1A01FE-GR(5LFTTR-ND
HN1A01FE-GR,LF(B
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR,LF
相关文档
规格书
1(HN1A01FE)
PCN 零件编号
1(Part Number Change Due to Production Site Change Jul/2014)
EDA 模型
1(HN1A01FE-GR,LF by Ultra Librarian)
价格
数量: 200000
单价: $0.26612
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
数量: 100000
单价: $0.27226
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最小包装数量: 4000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
替代型号
型号 : BC857BV,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 28,585
单价. : ¥3.34000
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