English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTD2HNK60Z-1
元器件型号详细信息
原厂型号
STD2HNK60Z-1
摘要
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
详情
通孔 N 通道 600 V 2A（Tc） 45W（Tc） TO-251（IPAK）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
50 周
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
280 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-251（IPAK）
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
STD2HNK60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-12783-5
STD2HNK60Z1
STD2HNK60Z-1-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STD2HNK60Z-1
相关文档
规格书
1(STx2HNK60Z(x))
其他相关文档
1(STD2HNK60Z-1 View All Specifications)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 22/Nov/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STx2HNK60Z(x))
EDA 模型
1(STD2HNK60Z-1 by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $4.61578
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 5000
单价: $4.79608
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $5.04851
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $5.40911
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $6.85154
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $8.2941
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $10.637
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $11.92
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-