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Germany1N5278BDO35TR
元器件型号详细信息
原厂型号
1N5278BDO35TR
摘要
DIODE ZENER 170V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 170 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
袋
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
170 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
1900 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 129 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
1N5278
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
1N5278BDO35
1N5278B(DO-35)MSCT
1N5278BDO35TRCTINACTIVE
1N5278BDO35MSTR-ND
1N5278BDO35MSCT
1N5278BDO35CTINACTIVE
1N5278B
1N5278B(DO-35)MSTR-ND
1N5278BDO3
1N5278DO35MSTR
1N5278DO35MSTR-ND
1N5278BDO35TRDKRINACTIVE
1N5278BDO35TRCT-ND
1N5278BDO35TRTR-ND
1N5278BMSTR
1N5278BDO35MSTR
150-1N5278BDO35TR
1N5278DO35MSCT-ND
1N5278BDO35TRTR
1N5278BDO35MSCT-ND
1N5278B(DO-35)MSCT-ND
1N5278DO35
1N5278BMSCT
278-1N5278BDO35TR-ND
278-1N5278BDO35TR
1N5278BDO35TRCT
1N5278BMSCT-ND
1N5278B(DO-35)MSTR
1N5278BDO35TRDKR-
1N5278BDO35TRDKRINACTIVE-ND
1N5278DO35MSCT
1N5278BDO35DKRINACTIVE
1N5278BMSTR-ND
1N5278BDO35TRCTINACTIVE-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Microsemi Corporation 1N5278BDO35TR
相关文档
规格书
1(1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35)
环保信息
()
价格
数量: 1
单价: $23.05
包装: 袋
最小包装数量: 1
包装: 袋
最小包装数量: 1
替代型号
-