元器件型号详细信息

原厂型号
1N5279BDO35TR
摘要
DIODE ZENER 180V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 180 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000

技术参数

制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
180 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗(最大值)(Zzt)
2200 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 137 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
1N5279

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050

其它名称

1N5279BDO35MSTR-ND
1N5279DO35MSTR
1N5279DO35MSCT
150-1N5279BDO35CT
1N5279B(DO-35)MSTR
1N5279DO35MSTR-ND
1N5279B(DO-35)MSCT-ND
1N5279BMSCT
1N5279BDO35TRTR
1N5279BDO35TRDKRINACTIVE-ND
1N5279BDO35TRCT-ND
1N5279BDO35TRTR-ND
150-1N5279BDO35TR
1N5279BDO3
1N5279B(DO-35)MSTR-ND
1N5279BDO35TRCT
1N5279BDO35MSCT-ND
1N5279BMSTR
1N5279DO35MSCT-ND
1N5279BDO35DKRINACTIVE
1N5279B
150-1N5279BDO35TRCT
1N5279BDO35TRDKR-
1N5279BDO35MSTR
1N5279BMSTR-ND
1N5279BDO35MSCT
150-1N5279BDO35CT-ND
1N5279DO35
1N5279BDO35TRDKRINACTIVE
1N5279BDO35
1N5279BMSCT-ND
1N5279B(DO-35)MSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Microsemi Corporation 1N5279BDO35TR

相关文档

规格书
1(1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35)
环保信息
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价格

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替代型号

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