English
Spain
Rusia
Italy
GermanyPHT11N06LT,135
元器件型号详细信息
原厂型号
PHT11N06LT,135
摘要
MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 4.9A（Ta） 1.8W（Ta），8.3W（Tc） SC-73
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 5A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±13V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta），8.3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-73
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
PHT11
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-PHT11N06LT135
934054590135
PHT11N06LT /T3
NEXNXPPHT11N06LT,135
PHT11N06LT /T3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/NXP USA Inc. PHT11N06LT,135
相关文档
环保信息
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
价格
-
替代型号
型号 : IRLL2705TRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 83,291
单价. : ¥10.02000
替代类型. : 类似
库存 : 83,291
单价. : ¥10.02000
替代类型. : 类似