CSD87335Q3D

元器件型号详细信息

原厂型号

CSD87335Q3D

摘要

MOSFET 2N-CH 30V 8LSON

详情

MOSFET - 阵列 30V 6W 表面贴装型 8-LSON（3.3x3.3）

原厂/品牌

Texas Instruments

原厂到货时间

6 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

技术

MOSFET（金属氧化物）

配置

2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能

-

漏源电压（Vdss）

30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

-

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.9V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

7.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1050pF @ 15V

功率 - 最大值

6W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerLDFN

供应商器件封装

8-LSON（3.3x3.3）

基本产品编号

CSD87335Q3

其它名称

296-43949-1

296-43949-2

CSD87335Q3D-ND

2156-CSD87335Q3D

296-43949-6

TEXTISCSD87335Q3D

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Texas Instruments CSD87335Q3D

价格

数量: 2500

单价: $6.27247
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $6.27247
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.31788
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 250

单价: $8.36328
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.9071
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 25

单价: $10.4556
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.082
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.32
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $6.27247
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.31788
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 250

单价: $8.36328
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.9071
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 25

单价: $10.4556
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.082
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.32
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

ARJ11B-MASAZ-LU2 DW-09-20-G-D-765 AX5MCF2-100.0000C HW-18-09-F-D-395-SM 1561T-B-2-B

CSD87335Q3D

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