VS-C10ET07T-M3

元器件型号详细信息

原厂型号

VS-C10ET07T-M3

摘要

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

详情

二极管 650 V 10A 通孔 TO-220AC

原厂/品牌

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

系列

-

包装

管件

Product Status

停产

技术

SiC（Silicon Carbide）Schottky

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）

650 V

电流 - 平均整流 (Io)

10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.8 V @ 10 A

速度

快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏

55 µA @ 650 V

不同 Vr、F 时电容

430pF @ 1V，1MHz

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-2

供应商器件封装

TO-220AC

工作温度 - 结

-55°C ~ 175°C

基本产品编号

C10ET07

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C10ET07T-M3

价格

-

替代型号

型号 : BAT6302VH6327XTSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥4.37000
替代类型. : 类似

型号 : BAT1502ELE6327XTMA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,958
单价. : ¥5.33000
替代类型. : 类似

型号 : SMS7621-040LF

制造商 : Skyworks Solutions Inc.
库存 : 566,209
单价. : ¥4.77000
替代类型. : 类似

型号 : MA4E1317

制造商 : MACOM Technology Solutions
库存 : 8,900
单价. : ¥29.29820
替代类型. : 类似

型号 : SMMBD701LT1G

制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.50000
替代类型. : 类似

HK1005R22J-T SXT11412EE38-26.000M 346-019-520-108 RNC65J9312BRRE7 MTMM-103-05-G-S-158

VS-C10ET07T-M3

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