元器件型号详细信息

原厂型号
HN4C06J-BL(TE85L,F
摘要
TRANS 2 NPN 120V 100MA SC74A
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 2 NPN(双)共发射极 120V 100mA 100MHz 300mW 表面贴装型 SMV
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
不适用于新设计
晶体管类型
2 NPN(双)共发射极
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
120V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值
300mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-74A,SOT-753
供应商器件封装
SMV
基本产品编号
HN4C06

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

HN4C06J-BL(TE85LFTR
HN4C06J-BL(TE85LFDKR
HN4C06J-BL(TE85LFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/双极晶体管阵列/Toshiba Semiconductor and Storage HN4C06J-BL(TE85L,F

相关文档

规格书
1(HN4C06J)
EDA 模型
1(HN4C06J-BL(TE85L,F by Ultra Librarian)

价格

数量: 75000
单价: $0.6767
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.697
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $0.75988
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $0.8123
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $0.86468
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000

替代型号

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