元器件型号详细信息

原厂型号
STP26NM60ND
摘要
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
详情
通孔 N 通道 600 V 21A(Tc) 190W(Tc) TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
FDmesh™ II
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
175 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1817 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
190W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP26N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-497-14219-5
497-14219-5
STP26NM60ND-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STP26NM60ND

相关文档

规格书
1(STx26NM60ND)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(IPD/15/9345 04/Aug/2015)
HTML 规格书
1(STx26NM60ND)

价格

-

替代型号

型号 : STP28N60DM2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
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制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥42.87540
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型号 : SIHP22N60E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥32.04000
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制造商 : Transphorm
库存 : 96
单价. : ¥77.19000
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制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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库存 : 787
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制造商 : onsemi
库存 : 115
单价. : ¥22.90000
替代类型. : 类似
型号 : IXKC20N60C
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥85.85740
替代类型. : 类似
型号 : IXFP24N60X
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥38.16800
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型号 : FCP170N60
制造商 : onsemi
库存 : 800
单价. : ¥54.93000
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型号 : FCP190N60E
制造商 : onsemi
库存 : 100
单价. : ¥33.87000
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型号 : IXKP20N60C5
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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型号 : FCP22N60N
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库存 : 668
单价. : ¥37.13000
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型号 : IPP60R170CFD7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥29.10000
替代类型. : 类似
型号 : FCP16N60N
制造商 : onsemi
库存 : 27
单价. : ¥45.23000
替代类型. : 类似
型号 : TPH3206PS
制造商 : Transphorm
库存 : 684
单价. : ¥78.70000
替代类型. : 类似
型号 : AOT27S60L
制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 6
单价. : ¥31.88000
替代类型. : 类似