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GermanyFDG313N
元器件型号详细信息
原厂型号
FDG313N
摘要
MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
详情
表面贴装型 N 通道 25 V 950mA（Ta） 750mW（Ta） SC-88（SC-70-6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
950mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-88（SC-70-6）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
基本产品编号
FDG313
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
FDG313N-ND
FDG313NFSCT
FDG313NFSDKR
FDG313NFSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDG313N
相关文档
规格书
1(FDG313N)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FDG313N)
EDA 模型
1(FDG313N by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NTS4409NT1G
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