English
Spain
Rusia
Italy
GermanyRJH65D27BDPQ-A0#T2
元器件型号详细信息
原厂型号
RJH65D27BDPQ-A0#T2
摘要
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
详情
IGBT 沟道 650 V 100 A 375 W 通孔 TO-247A
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.65V @ 15V，50A
功率 - 最大值
375 W
开关能量
1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
175 nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/165ns
测试条件
400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
80 ns
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247A
基本产品编号
RJH65D27
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Renesas Electronics America Inc RJH65D27BDPQ-A0#T2
相关文档
规格书
1(RJH65D27BDPQ-A0)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
EDA 模型
1(RJH65D27BDPQ-A0#T2 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : IGW75N65H5XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 358
单价. : ¥53.34000
替代类型. : 直接
库存 : 358
单价. : ¥53.34000
替代类型. : 直接