元器件型号详细信息

原厂型号
RN2102,LF(CT
摘要
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW 表面贴装型 SSM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)
10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
50 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
200 MHz
功率 - 最大值
100 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SC-75,SOT-416
供应商器件封装
SSM
基本产品编号
RN2102

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

RN2102(T5LFT)CT
RN2102LF(CTTR
RN2102LF(CTDKR
RN2102LF(CTCT
RN2102(T5LFT)CT-ND
RN2102(T5LFT)DKR-ND
RN2102(T5LFT)TR
RN2102,LF(CB
RN2102(T5LFT)TR-ND
RN2102(T5L,F,T)
RN2102(T5LFT)DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单,预偏置双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage RN2102,LF(CT

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规格书
1(RN2101-06)
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1(Multiple Devices 01/Jul/2014)
EDA 模型
1(RN2102 by Ultra Librarian)

价格

数量: 150000
单价: $0.15967
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 75000
单价: $0.18424
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000

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