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GermanyIXFT80N65X2HV
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFT80N65X2HV
摘要
MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 80A（Tc） 890W（Tc） TO-268HV（IXFT）
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
55 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Ultra X2
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
890W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268HV（IXFT）
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
基本产品编号
IXFT80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFT80N65X2HV
相关文档
规格书
1(IXFT80N65X2HV)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
特色产品
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev MSL3 Pkg Chg 9/Jun/2020)
PCN 封装
1(Multiple Devices MSL 09/Jun/2020)
HTML 规格书
1(IXFT80N65X2HV)
价格
数量: 500
单价: $88.3016
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $99.2633
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $117.535
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $127.91
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-