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GermanySBSP52T1G
元器件型号详细信息
原厂型号
SBSP52T1G
摘要
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 80 V 1 A 800 mW 表面贴装型 SOT-223（TO-261）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
11 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
1 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
80 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
1.3V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
2000 @ 500mA，10V
功率 - 最大值
800 mW
频率 - 跃迁
-
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223（TO-261）
基本产品编号
SBSP52
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SBSP52T1G-ND
SBSP52T1GOSDKR
2156-SBSP52T1G-OS
SBSP52T1GOSCT
ONSONSSBSP52T1G
SBSP52T1GOSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/onsemi SBSP52T1G
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规格书
1(BSP52T1,T3)
环保信息
()
HTML 规格书
1(BSP52T1,T3)
价格
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