最后更新
20250429
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
NVATS68301PZT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVATS68301PZT4G
摘要
MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK
详情
表面贴装型 P 通道 100 V 31A(Ta) 84W(Tc) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
75 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
55 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2850 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
84W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NVATS68301
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NVATS68301PZT4G
相关文档
规格书
1(NVATS68301PZ)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 7/Apr/2021)
HTML 规格书
1(NVATS68301PZ)
EDA 模型
1(NVATS68301PZT4G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : IXTY26P10T
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥32.91000
替代类型. : 类似
相似型号
ESM40DTBD-S189
PQDE6W-Q110-D5-D
SIT3373AC-2B9-25NZ256.000000
SC616P-1R
M39003/09-0362H